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P沟道MOS管-P沟道MOS管型号、参数及工作原理-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-07-17 

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场效应管的参数

① 开启电压VGS(th) (或VT)

开启电压是MOS增强型管的参数,栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通

② 夹断电压VGS(off) (或VP)

夹断电压是耗尽型FET的参数,当VGS=VGS(off) 时,漏极电流为零

③ 饱和漏极电流IDSS

耗尽型场效应三极管,当VGS=0时所对应的漏极电流

④ 输入电阻RGS

场效应三极管的栅源输入电阻的典型值,对于结型场效应三极管,反偏时RGS约大于107Ω,对于绝缘栅场型效应三极管,RGS约是109~1015Ω

⑤ 低频跨导gm

低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用,这一点与电子管的控制作用十分相像。gm可以在转移特性曲线上求取,单位是mS(毫西门子)

⑥ 最大漏极功耗PDM

最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定,与双极型三极管的PCM相当


P沟道MOS管型号

Part Numbe

IDA

BVDSSV

RDSON)(Ω)

Package

KIA2301

-2.8

-20

0.12

SOT-23

KIA2305

-3.5

-20

0。055

SOT-23

KIA3401

-4

-30

0.06

SOT-23

KIA3407

-4.1

-30

0。06

SOT-23

KIA3409

-2。6

-30

0.13

SOT-23

KIA3415

-4

-16

0.045

SOT-23

KIA3423

-2

-20

0.092

SOT-23

KIA4953

-5。3

-30

0.063

SOP-8

KIA9435

-5.3

-30

0.06

SOP-8

KIA7P03A

-7。5

-30

0。018

SOP-8

KIA4435

-10.5

-30

0.018

SOP-8



Part Numbe

IDA

VDSSv

内阻(小)

内阻(大)

ciss

Package

pF

KIA23P10A

-23

-100

0.95

0.078

3029

TO-252

KIA35P10A

-35

-100

0。055

0.042

4920

TO-252

KPD8610A

-35

-100

0.055

0。042

6516

TO-252


N沟道MOS管部分型号

Part Numbe

IDA

VDSSv

内阻(小)

内阻(大)

ciss

Package

pF

KIA9N90H

9

900

1.4

1.12

2780

TO-247

KAI18N50H

18

500

0。32

0.25

2500

TO-247

KIA20N50H

20

500

0.26

0.21

2700

TO-247

KIA24N50H

24

500

0。2

0.16

3500

TO-247

KIA3306A

80

60

0.008

0.007

3390

TO-247

KNM3308A

80

80

0.09

0.0062

3110

TO-247

KIA2906A

130

60

0。007

0.0055

3100

TO-247

KIA2807N

150

75

0.006

0。005

7200

TO-247

KIA2808A

150

80

0.0045

0.004

6109

TO-247

KIA2806A

160

40

0。0045

0。0035

4376

TO-247

KIA2804A

190

60

0.0035

0.0022

4800

TO-247

KIA2N60H

2

600

5

4.1

200

TO-220F

KIA3N80H

3

800

4.8

4

543

TO-220F

KNF4360A

4

600

2.3

1.9

511

TO-220F

KIA4N60H

4

600

2。7

2。3

500

TO-220F

KIA730H

6

400

1

0。83

520

TO-220F

KIA9N90H

9

900

1。4

1.12

2780

TO-3P

KIA10N80H

10

800

1.1

0.85

2230

TO-3P

KIA16N50H

16

500

0.38

0.32

2200

TO-3P

KIA18N50H

18

500

0.32

0。25

2500

TO-3P

KIA20N40H

20

400

0。25

0.2

2135

TO-3P

KIA20N50H

20

500

0.26

0。21

2700

TO-3P

KIA24N50H

24

500

0。2

0.16

3500

TO-3P

KNH8150A

30

500

0.065

0.15

4150

TO-3P

KNH9120A

40

200

0。1

0.05

2800

TO-3P


P沟道MOS管工作原理

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,柵极上加有足够的正电压(源极接地)时,柵极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为衔接源极和漏极的沟道。改动栅压可以改动沟道中的电子密度,从而改动沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。假设N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上恰当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值普通偏高,恳求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)呈现之后,多数已为NMOS电路所取代。只是,因PMOS电路工艺简单,价钱低价,有些中范围和小范围数字控制电路仍采用PMOS电路技术。PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适宜用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,固然PMOS可以很便当地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价钱贵,交流种类少等缘由,在高端驱动中,通常还是运用NMOS。

正常工作时,P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连,而漏心极的电压Vds应为负值,以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏,同时为了在衬底顶表面左近构成导电沟道,栅极对源极的电压Vgs也应为负。

1.Vds≠O的情况导电沟道构成以后,DS间加负向电压时,那么在源极与漏极之间将有漏极电流Id流通,而且Id随Vds而增加.Id沿沟道产生的压降使沟道上各点与栅极间的电压不再相等,该电压削弱了栅极中负电荷电场的作用,使沟道从漏极到源极逐渐变窄.当Vds增大到使Vgd=Vgs(TH),沟道在漏极左近呈现预夹断.

2.导电沟道的构成(Vds=0)当Vds=0时,在栅源之间加负电压Vgs,由于绝缘层的存在,故没有电流,但是金属栅极被补充电而聚集负电荷,N型半导体中的多子电子被负电荷排斥向体内运动,表面留下带正电的离子,构成耗尽层,随着G、S间负电压的增加,耗尽层加宽,当Vgs增大到一定值时,衬底中的空穴(少子)被栅极中的负电荷吸收到表面,在耗尽层和绝缘层之间构成一个P型薄层,称反型层,这个反型层就构成漏源之间的导电沟道,这时的Vgs称为开启电压Vgs(th),Vgs到Vgs(th)后再增加,衬底表面感应的空穴越多,反型层加宽,而耗尽层的宽度却不再变化,这样我们可以用Vgs的大小控制导电沟道的宽度。



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