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mos逆变器-太阳能逆变器的原理及架构详解分析-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-03-14 

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发展逆变器技术是太阳能应用提出的要求,本文介绍了太阳能逆变器的原理及架构,着重介绍了IGBT和MOSFET技术,实现智能控制是发展太阳能逆变器技术的关键。


太阳能对逆变器的要求

通过太阳能光伏技术将太阳辐射转换成电能是现在市面上最有效也是最具发展潜力的可再生能源技术。现在,普通太阳能光伏系统都是由许多紧密相连的太阳能电池板组成。这些电池板先分组串联,再将不同的串联电池组并联起来形成电池阵列。


目前我国光伏发电系统主要是直流系统,即将太阳电池发出的电能给蓄电池充电,而蓄电池直接给负载供电,如我国西北地区使用较多的太阳能户用照明系统以及远离电网的微波站供电系统均为直流系统。此类系统结构简单,成本低廉,但由于负载直流电压的不同(如12V、24V、48V等),很难实现系统的标准化和兼容性,特别是民用电力,由于大多为交流负载,以直流电力供电的光伏电源很难作为商品进入市场。光伏发电最终将实现并网运行,这就必须采用成熟的市场模式,今后交流光伏发电系统必将成为光伏发电的主流。


太阳能逆变器是一种功率电子电路,能把太阳能电池板的直流电压转换为交流电压来驱动家用电器、照明及电机工具等交流负载,是整个太阳能发电系统的关键组件。逆变器有两个基本功能:一方面是为完成DC/AC转换的电流连接到电网,另一方面是找出最佳的操作点以优化太阳能光伏系统的效率。对于特定的太阳光辐射、温度及电池类型,太阳能光伏系统都相应有唯一的最佳电压及电流,从而使光伏系统产生最大的能量。因此,在太阳能应用中对逆变器必须满足以下基本要求:


1.要求具有较高的效率。由于目前太阳电池的价格偏高,为了最大限度地利用太阳电池,提高系统效率,必须设法提高逆变器的效率。


2.要求具有较高的可靠性。目前光伏发电系统主要用于边远地区,许多电站无人值守和维护,这就要求逆变器具有合理的电路结构,严格的元器件筛选,并要求逆变器具备各种保护功能,如输入直流极性接反保护,交流输出短路保护,过热、过载保护等。


3.要求直流输入电压有较宽的适应范围,由于太阳电池的端电压随负载和日照强度而变化,蓄电池虽然对太阳电池的电压具有重要作用,但由于蓄电池的电压随蓄电池剩余容量和内阻的变化而波动,特别是当蓄电池老化时其端电压的变化范围很大,如12V蓄电池,其端电压可在10V~16V之间变化,这就要求逆变器必须在较大的直流输入电压范围内保证正常工作,并保证交流输出电压的稳定。


4.在中、大容量的光伏发电系统中,逆变电源的输出应为失真度较小的正弦波。这是由于在中、大容量系统中,若采用方波供电,则输出将含有较多的谐波分量,高次谐波将产生附加损耗,许多光伏发电系统的负载为通信或仪表设备,这些设备对电网品质有较高的要求,当中、大容量的光伏发电系统并网运行时,为避免与公共电网的电力污染,也要求逆变器输出正弦波电流。


太阳能逆变器的原理及架构

通常把交流电能变换成直流电能的过程称之为整流,相控整流是最常见的交-直流变换过程;而把直流电能变换成交流电能的过程称之为逆变,它是整流的逆过程。在逆变电路中,按照负载性质的不同,逆变分为有源逆变和无源逆变。如果把该电路的交流侧接到交流电源上,把直流电能经过直-交流变换,逆变成与交流电源同频率的交流电返送到电网上去,称作有源逆变。相应的装置称为有源逆变器,控制角大于90°的相控整流器为常见的有源逆变器。而把直流电能变换为交流电能,直接向非电源负载供电的电路,称之为无源逆变电路,又称为变频器。


逆变器类型有它励逆变器、自励逆变器、脉宽调制(PWM)型逆变器。其中他励逆变器需要外部交流电压源,给晶闸管提供整流电压。他励逆变器主要应用在大功率并网情况下;对于功率低于1MW 的光伏发电系统,主要采用自励逆变器方式。自励逆变器不需要外部交流电压源,整流电压由逆变器的一部分储能元件(比如电容)来提供或者通过增加待关断整流阀(像MOSFET 或IGBT)的电阻值来实现。输出电压被脉冲调制的自励逆变器被称为脉冲逆变器。这种逆变器通过增加周期内脉冲的切换次数,来降低电压、电流的谐波含量;谐波含量与脉冲切换次数呈正比。目前,并网逆变器的输出控制模式主要有两种:电压型控制模式和电流型控制模式。电压型控制模式的原理是以输出电压作为受控量,系统输出和电网电压同频同相的电压信号,整个系统相当于一个内阻很小的受控电压源;电流型控制模式的原理则是以输出电感电流作为受控目标,系统输出和电网电压同频同相的电流信号,整个系统相当于一个内阻较大的受控电流源。


目前,太阳能逆变器已有多种拓扑结构,最常见的是用于单相的半桥、全桥和Heric(Sunways专利)逆变器,以及用于三相的六脉冲桥和中点钳位(NPC)逆变器。太阳能逆变器的典型架构一般采用四个开关的全桥拓扑,如图1所示。

mos逆变器

在图1中, Q1 和Q3被指定为高压侧IGBT,Q2 和Q4 则是低压侧 IGBT。该逆变器用于在其目标市场的频率和电压条件下,产生单相位正弦电压波形。有些逆变器用于连接净计量效益电网的住宅安装,这就是其中一个目标应用市场,此项应用要求逆变器提供低谐波交流正弦电压,让力可注入电网中。 实质上,为保持谐波分量低和功率损耗最小,逆变器的高压端IGBT采用脉宽调制(PWM),低压端IGBT则以60Hz频率变换电流方向。通过让高压端 IGBT使用20kHz或20kHz以上的PWM频率和50/60Hz调制方案,输出电感L1和L2在实例中可以做得很小,并且照样能对谐波分量进行高效滤波。与快速和标准速度的平面器件相比,开关速度为20kHz的超快速沟道型IGBT可以提供最低的总导通损耗和开关功率损耗。同样,对于低压端开关电路,工作在60Hz的标准速度IGBT可以提供最低的功率损耗。


这个设计中的开关技术具有如下优势:通过允许高压端和低压端IGBT独立优化实现很高的效率;高压端、同封装的软恢复二极管没有续流时间,从而消除了不必要的开关损耗;低压端IGBT的开关频率只有60Hz,因此导通损耗是这些IGBT的主要因素;没有交叉导通,因为任何时间点的开关都发生在对角的两个器件上(Q1和Q4或Q2和Q3);不存在总线直通的可能性,因为桥的同一边上的IGBT永远不可能以互补方式开关;跨接低压端IGBT的同封装、超快速、软恢复二极管经过优化可以使续流和反向恢复期间的损耗达到最小。


mos 逆变器工作原理

1。直流电可以通过震荡电路变为交流电

2.得到的交流电再通过线圈升压(这时得到的是方形波的交流电)

3。对得到的交流电进行整流得到正弦波


AC-DC就比较简单了我们知道二极管有单向导电性可以用二极管的这一特性连成一个电桥让一端始终是流入的另一端始终是流出的这就得到了电压正弦变化的直流电 如果需要平滑的直流电还需要进行整流 简单的方法就是连接一个电容


Inverter是一种DCtoAC的变压器,它其实与Adapter是一种电压逆变的过程。Adapter是将市电电网的交流电压转变为稳定的12V直流输出,而Inverter是将 Adapter输出的12V直流电压转变为高频的高压交流电;两个部分同样都采用了目前用得比较多的脉宽调制(PWM)技术。其核心部分都是一个PWM集 成控制器,Adapter用的是UC3842,I


nverter则采用TL5001芯片。TL5001的工作电压范围3。6~40V,其内部设有一个误差放大器,一个调节器、振荡器、有死区控制的PWM发生器、低压保护回路及短路保护回路等。


以下将对Inverter的工作原理进行简要介绍:

mos逆变器

输入接口部分:

输 入部分有3个信号,12V直流输入VIN、工作使能电压ENB及Panel电流控制信号DIM。VIN由Adapter提供,ENB电压由主板上的MCU 提供,其值为0或3V,当ENB=0时,Inverter不工作,而ENB=3V时,Inverter处于正常工作状态;而DIM电压由主板提供,其变化 范围在0~5V之间,将不同的DIM值反馈给PWM控制器反馈端,Inverter向负载提供的电流也将不同,DIM值越小,Inverter输出的电流 就越大。


电压启动回路:

ENB为高电平时,输出高压去点亮Panel的背光灯灯管。


PWM控制器:

有以下几个功能组成:内部参考电压、误差放大器、振荡器和PWM、过压保护、欠压保护、短路保护、输出晶体管。


直流变换:

由MOS开关管和储能电感组成电压变换电路,输入的脉冲经过推挽放大器放大后驱动MOS管做开关动作,使得直流电压对电感进行充放电,这样电感的另一端就能得到交流电压。


LC振荡及输出回路:

保证灯管启动需要的1600V电压,并在灯管启动以后将电压降至800V。


输出电压反馈:

当负载工作时,反馈采样电压,起到稳定Inventer电压输出的作用。


其实你可以想象一下了。都有那些电子元件需要正负极,电阻,电感一般不需要。二极管一般坏的可能就是被击穿只要电压正常一般是没有问题的,三极管的话是不会导通的。稳压管如果正负接反的话就会损坏了,但一般有的电路加了保护就是利用二极管的单向导通来保护。在就是电容了,电容里有正负之分的就是电解电容了, 如果正负接反严重的话其外壳发生爆裂。


主要元件二极管.开关管振荡变压器.取样.调宽管.还有振荡回路电阻电容等参开关电路原理.


逆变器的主功率元件的选择至关重要,目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(BJT),功率场效应管(MOSFET),绝缘栅晶体管(IGBT)和可关断晶闸管(GTO)等,在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET,因为MOSFET具有较低的通态压降和较高的开关频率,在高压大容量系统中一般均采用IGBT模块,这是因为MOSFET随着电压的升高其通态电阻也随之增大,而IGBT在中容量系统中占有较大的优势,而在特大容量(100KVA以 上)系统中,一般均采用GTO作为功率元件


大件:场效应管或IGBT、变压器、电容、二极管、比较器以及3525之类的主控。交直交逆变还有整流滤波。

功率大小和精度,关系着电路的复杂程度。

可以看一下手机充电器,这就是一个小开关电源!


IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输入阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时,各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压 降、高可靠性、低成本技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。